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采用基于6英寸晶圆碳化硅的GaN技术实现GaN的高容量和低成本应用
      2015年9月15日,为中国北京移动应用,基础设施,航空航天和国防应用提供射频解决方案的领先供应商。
(纳斯达克股票代码:QRVO)宣布成功扩展碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)QGaN 25工艺技术,在6英寸晶圆上生产微波单片集成电路(MMIC)这是。
从4“到6”晶圆的过渡大约使Qorvo基于碳化硅的GaN生产能力翻倍,有助于降低制造成本,并显着加速低成本RF器件的生产。
Qorvo基础设施和国防产品部门(IDP)总裁James Klein将通过在6英寸晶圆上实施碳化硅基GaN单片微波集成电路,大幅提高生产力和盈利能力我告诉过你。
这是一个重要的里程碑,加强了Qorvo在商业和国防市场提供尖端工艺和GaN产品的领导地位。
Qorvo已经证明,基于碳化硅基碳化硅和X波段(PA)高性能功率放大器(PA)的4英寸到6英寸QGaN 25制造工艺可以扩展如下:4至6英寸
这也有助于将公司所有基于SiC的GaN制造工艺转换为零门长度的6英寸晶圆。
15 um到0
50um覆盖整个微波应用区域mmW。
2016年将实现总产量。
12瓦X波段点对点MMIC功率放大器在满足超过80%的直流和射频性能要求方面处于业界领先地位。
该过程的可行性构成了用于防御产品的高速生产收发器(BTS)和无线点对点,CATV和商用基站的基础。
晶圆尺寸扩张进一步巩固了其作为美国国防部批准的1A类(1A可信源)供应商的领先地位。UU电子制造业。
Qorvo是第一家在2014年成功完成GaN基碳化硅DPA Title III项目并达到9级制造成熟度(MRL)的公司,证明其高通量制造工艺完全可行你是有效
国防部制造业成熟度评估(MRA)。UU确保制造,生产和质量要求符合运营任务的要求。
该流程可确保从产品或系统平稳过渡到工厂,为客户提供最佳价值并满足所有性能,成本和容量目标。


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